고종횡비 구조의 메모리 반도체에서 플라즈마 식각 공정시 보잉(bowing), 틸팅(tilting)과 같은 형상 왜곡이 일반적으로 관찰됩니다. 이러한 왜곡은 소자 성능의 저하로 이어지므로 식각 공정에 대한 이해와 형상 왜곡 원인 분석 연구가 중요합니다. 본 발표에서는 이온 포격에 의한 기판 재료 내부에서 생성된 recoil 원자의 거동을 고려한 식각 예측 모델 및 몬테카를로(MC) 기반 시뮬레이션 기법을 소개합니다. 이러한 모델을 사용하여 FSDE(피처 크기 의존 식각) 및 ARDE(종횡비 의존 식각)와 같은 대표적인 식각 현상을 잘 설명할 수 있으며 반도체 플라즈마 공정에 대한 이해를 한층 더 높일 수 있습니다.

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